2012年，在金融都市-上海，數(shù)位行業(yè)精英共襄盛舉，立志做中國優(yōu)質(zhì)的金屬材料供應商，成立了上海錦町新材料科技有限公司。

我們的愿景：致力于做以客戶需求為導向的整條制造供應鏈上的解決方案的系統(tǒng)供應商.針對特殊應用及個性化構件共同制定解決方案，從而選擇合適的材料并確定訂制原材料組合及制造流程。

我們提供金屬加工領域的一站式技能知識服務，沖壓，CNC DIECASTING,電鍍，焊接。

通過資源整合與共享，公司為眾多知名汽車電子連接器,傳感器,繼電器，控制器等生產(chǎn)商提供各種高性能銅合金，配套分條加工，異型材加工，表面處理，角料回收等一站式服務，同時聯(lián)合知名高校進行新材料應用研發(fā)，為新興產(chǎn)業(yè)的智造升級提供整體解決方案,公司擁有的“高.精.專”服務團隊，以“匠心智造,你我同行”為宗旨, 以市場需求為導向,深入行業(yè)把握產(chǎn)品，為企業(yè)以及行業(yè)前沿企業(yè)提供價值產(chǎn)品和服務。

公司生產(chǎn)的材料有異型銅帶、異形銅帶、U形銅帶、凹形銅帶、CuFe10（CFA90）、CuFe5（CFA95）、C50710(CuSn2Ni0.3P/MF202)、C50715(CuSn2Fe0.1P/KLF5)、C15100(CuZr0.1)、C19010(CuNiSi/STOL76)、C18080(CuCrAgFeTiSi)、C18070(CuCrSiTi)、C18400/C18150(CuCrZr)、C14415(CuSn0.15/C14410)、C19400（CuFe2P）、C51100（CuSn4）、C70250(CuNi3Si)、C10300(SE-Cu/Cu-HCP（IACS 98%）T1、C10300(SE-Cu/Cu-PHC(IACS 100)/T1、C11000(E-Cu/Cu-ETP/C1100/T2)、C72700（CuNi9Sn6）、C72900（CuNi15Sn8）、Cu-01S、Cu01、FeNi42、C64775（C7025-Sn）、C12000(SW-Cu/Cu-DLP)/C1201/TP1、C12200(SF-Cu/Cu-DHP)/C1220/TP2、C10100(OF-Cu/Cu-OFE)/C1011/TU2、C51100(CuSn4/C5110)、C51000(CuSn5/C5100)、C19002(CuNiSi)、C70260(CuNi2Si)、C19040(CuSn1.2Ni0.8P0.07/CAC5)、C19025(NB109)、C26000(CuZn30/C2600)、C26800(CuZn33/C2680)、C27200(CuZn37/C2720)

材料介紹

C19010(CuNiSiP)

標準

化學成分

物理特性

物理性能

材料應用

連接器、彈簧、開關、繼電器、引線框架

電鍍服務(材料+電鍍)

分條服務

行業(yè)相關信息

6月7日，推動節(jié)能創(chuàng)新的安森美半導體（ON Semiconductor）宣布推出一對1200 V全碳化硅（SiC）MOSFET 2-PACK模塊，進一步增強其產(chǎn)品系列，從而適應充滿挑戰(zhàn)的電動汽車（EV）市場。

隨著電動汽車銷量持續(xù)增長，基礎設施需要不斷完善以滿足駕駛員需求，如提供快速充電站網(wǎng)絡，從而使汽車可以快速完成行程，且不會有“里程焦慮”。隨著這種需求不斷發(fā)展，對于充電功率超過350 kW，效率超過95%的要求也成為“常態(tài)”。由于部署充電樁的環(huán)境和地點多樣，設計人員面臨著多種挑戰(zhàn)，包括緊湊型、穩(wěn)健性和增強的可靠性。

全新1200V M1全碳化硅MOSFET 2-PACK模塊基于平面技術打造，適用的驅動電壓為18-20 V，且易于使用柵極負電壓進行驅動。與溝槽型MOSFET相比，較大的裸芯片可降低熱阻，從而在相同工作溫度下降低裸芯片溫度。

NXH010P120MNF1配置為2-PACK半橋架構，是采用F1封裝的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2是采用F2封裝的6 mohm器件。這些封裝采用壓接式引腳，非常適合工業(yè)應用，此外還采用嵌入式負溫度系數(shù)（NTC）熱敏電阻，有助于溫度監(jiān)控。

作為安森美半導體電動汽車充電生態(tài)系統(tǒng)的一部分，全新碳化硅MOSFET模塊旨在與驅動器解決方案（如NCD5700x器件）一起使用。最近推出的NCD57252雙通道隔離式IGBT/MOSFET柵極驅動器提供5 kV的電流隔離，可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作。

NCD57252采用小型SOIC-16寬體封裝，接受邏輯電平輸入（3.3 V、5 V和15 V）。由于典型傳播延遲為60ns，該高電流器件（在米勒平臺電壓下，源電流為4.0 A/灌電流為6.0 A）適合高速工作。

安森美半導體的碳化硅MOSFET與全新模塊和柵極驅動器形成互補。與類似的硅器件相比，該碳化硅MOSFE可提供卓越的開關性能和增強的散熱性能，從而以提高效率和功率密度、改善電磁干擾（EMI）、并減小系統(tǒng)尺寸和減少重量。

最近發(fā)布的650 V碳化硅MOSFET采用新穎的有源單元設計，結合先進的薄晶圓技術，可為（RDS(on)*area）提供一流的品質(zhì)因數(shù)（FoM）。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC等系列器件可為D2PAK7L / TO247封裝的MOSFET提供市場上最低的RDS(on)。

1200 V和900 V N通道碳化硅MOSFET芯片尺寸較小，可降低器件電容和柵極電荷（Qg –低至220 nC），從而降低電動車充電樁所需高頻工作的開關損耗。

來源：

上海錦町新材料科技有限公司