2012年，在金融都市-上海，數位行業精英共襄盛舉，立志做中國優質的金屬材料供應商，成立了上海錦町新材料科技有限公司。
我們的愿景：致力于做以客戶需求為導向的整條制造供應鏈上的解決方案的系統供應商.針對特殊應用及個性化構件共同制定解決方案，從而選擇合適的材料并確定訂制原材料組合及制造流程。
我們提供金屬加工領域的一站式技能知識服務，沖壓，CNC DIECASTING,電鍍，焊接。
通過資源整合與共享，公司為眾多知名汽車電子連接器,傳感器,繼電器，控制器等生產商提供各種高性能銅合金，配套分條加工，異型材加工，表面處理，角料回收等一站式服務，同時聯合知名高校進行新材料應用研發，為新興產業的智造升級提供整體解決方案,公司擁有的“高.精.專”服務團隊，以“匠心智造,你我同行”為宗旨, 以市場需求為導向,深入行業把握產品，為企業以及行業前沿企業提供價值產品和服務。
公司生產的材料有異型銅帶、異形銅帶、U形銅帶、凹形銅帶、CuFe10（CFA90）、CuFe5（CFA95）、C50710(CuSn2Ni0.3P/MF202)、C50715(CuSn2Fe0.1P/KLF5)、C15100(CuZr0.1)、C19010(CuNiSi/STOL76)、C18080(CuCrAgFeTiSi)、C18070(CuCrSiTi)、C18400/C18150(CuCrZr)、C14415(CuSn0.15/C14410)、C19400（CuFe2P）、C51100（CuSn4）、C70250(CuNi3Si)、C10300(SE-Cu/Cu-HCP（IACS 98%）T1、C10300(SE-Cu/Cu-PHC(IACS 100)/T1、C11000(E-Cu/Cu-ETP/C1100/T2)、C72700（CuNi9Sn6）、C72900（CuNi15Sn8）、Cu-01S、Cu01、FeNi42、C64775（C7025-Sn）、C12000(SW-Cu/Cu-DLP)/C1201/TP1、C12200(SF-Cu/Cu-DHP)/C1220/TP2、C10100(OF-Cu/Cu-OFE)/C1011/TU2、C51100(CuSn4/C5110)、C51000(CuSn5/C5100)、C19002(CuNiSi)、C70260(CuNi2Si)、C19040(CuSn1.2Ni0.8P0.07/CAC5)、C19025(NB109)、C26000(CuZn30/C2600)、C26800(CuZn33/C2680)、C27200(CuZn37/C2720)
材料介紹
C19010(CuNiSiP)
標準
化學成分
物理特性
物理性能
材料應用
連接器、彈簧、開關、繼電器、引線框架
電鍍服務(材料+電鍍)
分條服務
行業相關信息
6月7日，推動節能創新的安森美半導體（ON Semiconductor）宣布推出一對1200 V全碳化硅（SiC）MOSFET 2-PACK模塊，進一步增強其產品系列，從而適應充滿挑戰的電動汽車（EV）市場。
隨著電動汽車銷量持續增長，基礎設施需要不斷完善以滿足駕駛員需求，如提供快速充電站網絡，從而使汽車可以快速完成行程，且不會有“里程焦慮”。隨著這種需求不斷發展，對于充電功率超過350 kW，效率超過95%的要求也成為“常態”。由于部署充電樁的環境和地點多樣，設計人員面臨著多種挑戰，包括緊湊型、穩健性和增強的可靠性。
全新1200V M1全碳化硅MOSFET 2-PACK模塊基于平面技術打造，適用的驅動電壓為18-20 V，且易于使用柵極負電壓進行驅動。與溝槽型MOSFET相比，較大的裸芯片可降低熱阻，從而在相同工作溫度下降低裸芯片溫度。
NXH010P120MNF1配置為2-PACK半橋架構，是采用F1封裝的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2是采用F2封裝的6 mohm器件。這些封裝采用壓接式引腳，非常適合工業應用，此外還采用嵌入式負溫度系數（NTC）熱敏電阻，有助于溫度監控。
作為安森美半導體電動汽車充電生態系統的一部分，全新碳化硅MOSFET模塊旨在與驅動器解決方案（如NCD5700x器件）一起使用。最近推出的NCD57252雙通道隔離式IGBT/MOSFET柵極驅動器提供5 kV的電流隔離，可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作。
NCD57252采用小型SOIC-16寬體封裝，接受邏輯電平輸入（3.3 V、5 V和15 V）。由于典型傳播延遲為60ns，該高電流器件（在米勒平臺電壓下，源電流為4.0 A/灌電流為6.0 A）適合高速工作。
安森美半導體的碳化硅MOSFET與全新模塊和柵極驅動器形成互補。與類似的硅器件相比，該碳化硅MOSFE可提供卓越的開關性能和增強的散熱性能，從而以提高效率和功率密度、改善電磁干擾（EMI）、并減小系統尺寸和減少重量。
最近發布的650 V碳化硅MOSFET采用新穎的有源單元設計，結合先進的薄晶圓技術，可為（RDS(on)*area）提供一流的品質因數（FoM）。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC等系列器件可為D2PAK7L / TO247封裝的MOSFET提供市場上最低的RDS(on)。
1200 V和900 V N通道碳化硅MOSFET芯片尺寸較小，可降低器件電容和柵極電荷（Qg –低至220 nC），從而降低電動車充電樁所需高頻工作的開關損耗。
來源：
上海錦町新材料科技有限公司
